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| SU9000在低電壓電子能量損失譜中的應(yīng)用 |
SU9000在低電壓高分辨晶格像觀察中的應(yīng)用 |
電子能量損失譜（EELS）作為一種元素分析方法已經(jīng)在透射電鏡中被廣泛使用。日立的SU9000既有掃描電鏡的功能，同時(shí)又帶有EELS和電子衍射等透射電鏡的分析功能，很好的填補(bǔ)了透射電鏡在低電壓EELS和電子衍射方面的缺陷。(詳細(xì)內(nèi)容) |
SU9000作為冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，其本身具有很高的分辨率，同時(shí)采用內(nèi)透鏡的物鏡設(shè)計(jì)使其具有與透射電鏡相同的功能。由于SU9000的最高加速電壓只有30kV，因此它可以實(shí)現(xiàn)低電壓下高分辨晶格像的觀察。(詳細(xì)內(nèi)容) |
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| SU9000減速功能及在觀察樣品表面信息中的應(yīng)用 |
SU9000在觀察碳納米管方面的應(yīng)用 |
日立SU9000超高分辨冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，達(dá)到掃描電鏡世界最高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進(jìn)的真空系統(tǒng)和電子光學(xué)系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。(詳細(xì)內(nèi)容) |
近些年隨著碳納米管及納米材料研究的深入其廣闊的應(yīng)用前景也不斷地展現(xiàn)出來(lái)。如可以制成透明導(dǎo)電的薄膜，用以代替ITO（氧化銦錫）作為觸摸屏的材料。同時(shí)碳納米管觸摸屏還具有柔性、抗干擾、防水、耐敲擊與刮擦等特性，可以制做出曲面的觸摸屏，具有高度的潛力可應(yīng)用于穿戴式裝置、智慧家俱等產(chǎn)品。(詳細(xì)內(nèi)容) |
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| SU9000超低電壓下高分辨在多孔材料中的應(yīng)用 |
SU9000在生物領(lǐng)域（細(xì)菌、病毒）的應(yīng)用 |
對(duì)于多孔材料結(jié)構(gòu)的表征SU9000帶來(lái)完美的解決方案，由于介孔硅材料不導(dǎo)電，對(duì)加速電壓很敏感，容易受到電子束的損傷，通?？紤]降低加速電壓進(jìn)行顯微觀察，如上圖利用減速模式下0.5kV的著陸電壓可以清晰的看到介孔硅的孔徑、孔壁及形態(tài)結(jié)構(gòu)，并且達(dá)到最高800k的超高放大倍數(shù)，從而得到材料的真實(shí)形貌與理論相匹配。(詳細(xì)內(nèi)容)
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日立SU9000采取了全新改進(jìn)的真空系統(tǒng)和電子光學(xué)系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。SU9000超高分辨冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，達(dá)到掃描電鏡世界最高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm，并且STEM模式下可以實(shí)現(xiàn)明場(chǎng)相和暗場(chǎng)相的觀察。(詳細(xì)內(nèi)容)
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| SU9000在半導(dǎo)體方面的應(yīng)用 |
SU9000在能譜分析方面的應(yīng)用 |
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，日立電鏡專利的E×B技術(shù)以及獨(dú)特的信號(hào)控制系統(tǒng)，使得不論是S-4800、SU8000系列亦或是SU8200系列，都在半導(dǎo)體領(lǐng)域的圖像觀察方面有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。而SU9000借助其獨(dú)特的物鏡設(shè)計(jì)及優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)不僅成為了一款世界上分辨率最高的電鏡，更是強(qiáng)化了日立電鏡在半導(dǎo)體領(lǐng)域一貫的統(tǒng)治。(詳細(xì)內(nèi)容) |
相較于傳統(tǒng)的電鏡，SU9000在做能譜分析時(shí)有著一些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。尤其是在stem條件下，樣品普遍較薄，當(dāng)樣品厚度在納米級(jí)別時(shí)，就避開(kāi)了X射線出射范圍較大這一負(fù)面因素，使得其不僅可在高倍下表征圖像的形貌，而且同時(shí)也可以在高倍下表征樣品的組成。(詳細(xì)內(nèi)容)
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